Samsung Electronics: HBM rappresenterà quasi il 30% della capacità produttiva di DRAM del settore il prossimo anno

SEUL, 29 settembre (Reuters) - Un dirigente di Samsung Electronics ha detto martedì che la memoria ad alta larghezza di banda (HBM) dovrebbe rappresentare quasi il 30% della capacità totale di produzione di wafer dei produttori di chip Dynamic Random-Access Memory (DRAM) il prossimo anno, in aumento rispetto all’attuale 20% circa.

Kim Taewoo, vicepresidente esecutivo di Samsung Electronics 005930.KS, ha affermato che l’HBM e la DRAM standard competono per la stessa capacità produttiva dei wafer, il che significa che l’espansione della produzione di HBM potrebbe limitare l’offerta di DRAM standard.

L’HBM è un componente fondamentale per l’elaborazione AI, costituito da chip di memoria impilati verticalmente che consentono ai processori di accedere a enormi quantità di dati ad alta velocità. Il mercato è dominato dalle sudcoreane SK Hynix 000660.KS e Samsung Electronics, nonché dalla statunitense Micron Technology MU.O.

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