Samsung utilizará la tecnología de TSMC para los chips de memoria de última generación de Nvidia, según informa un periódico de Seúl

Por Reuters News

SEÚL, 18 oct (Reuters) - Samsung Electronics 005930.KS utilizará el proceso de 3 nanómetros de TSMC 2330.TW para producir los chips base de los chips HBM personalizados de próxima generación de Nvidia NVDA.O, según informó el domingo el Seoul Economic Daily.

Según el informe, esta iniciativa supondría la primera vez que Samsung colabora con el fabricante taiwanés de chips por encargo en la fase de fabricación de HBM.


  • Nvidia ha solicitado a Samsung, SK Hynix 000660.KS y Micron Technology MU.O que utilicen el proceso de TSMC para los chips base NVHBM y la tecnología DRAM de sexta generación para sus chips centrales, según ha informado el periódico citando fuentes del sector.

  • El NVHBM, presentado en agosto, integra el controlador de memoria personalizado de Nvidia en el chip base y tiene como objetivo estandarizar su implementación entre múltiples proveedores de memoria, según la empresa.

  • Samsung aceptó los requisitos de Nvidia tras una revisión interna, pero tiene previsto mantener su modelo de producción propio para la HBM estándar y los productos personalizados destinados a otros clientes, según informó el Seoul Economic Daily.

  • Asimismo, está evaluando si su propia fundición podría producir chips base NVHBM en caso de que la demanda supere la capacidad de TSMC, según declaró al periódico una fuente anónima.


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