據首爾一家報紙報導，三星將採用台積電的技術生產英偉達的下一代內存芯片
由 Reuters News
路透首爾10月18日 - 據《首爾經濟日報》周日報導，三星電子 005930.KS 將採用台積電 2330.TW 的3納米工藝，為英偉達 NVDA.O 下一代定制高帶寬內存(HBM) 芯片生產基片。
據報導，此舉將標誌著三星首次在HBM製造階段與這家台灣代工芯片製造商合作。
該報援引業界消息人士的話稱，英偉達已要求三星、SK海力士 000660.KS 和美光科技 MU.O 採用台積電的工藝製造NVHBM基片，並採用第六代DRAM技術製造其核心芯片。
據該公司稱，今年8月發布的NVHBM將英偉達的定制內存控制器集成到基片中，旨在實現跨多家內存供應商的標準化實施。
據《首爾經濟日報》報導，三星在經過內部評估後接受了英偉達的要求，但計劃繼續採用自主生產模式來生產標準HBM以及面向其他客戶的定制產品。
該報援引一位不願透露姓名消息人士的話稱，三星還在評估，如果需求超過台積電的產能，其自有代工廠是否能夠生產NVHBM基礎芯片。
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