花旗表示，受CXMT DRAM擔憂影響的芯片拋售已反應過度

10月14日 - ** 花旗表示，預計中國CXMT公司 688825.SS 計劃推出的4F2 DRAM技術(一種更密集的存儲芯片設計) 對全球存儲芯片供應的影響將“有限”

** 周二，關於長鑫存儲（CXMT）取得技術進展的報導加劇了市場對中國人工智能企業競爭加劇的擔憂，導致全球芯片股下跌

** 周二，費城半導體指數 .SOX 跌至逾三周低點，且連續第五個交易日下跌

** 花旗表示：“CXMT正在其傳統工藝節點1y-nm（一種較舊的製造工藝）上開發4F2，預計2028年前難以實現量產”，並補充稱這家中國芯片製造商仍落後于領先的DRAM生產商四代

** 花旗表示，該技術的製造成本可能高出約10%-20%

** 該行還指出，CXMT獲得先進EUV設備（芯片製造光刻設備）的渠道可能有限，這將成為進一步縮小製程的障礙；而三星 005930.KS 和SK海力士 000660.KS 預計將在更先進的製程節點上採用4F2技術

** 美國存儲和內存類股在盤前交易中下跌，美光科技 MU.O、閃迪 SNDK.O、西部數據 WDC.O 和希捷科技 STX.O 跌幅介於1%至2.3%之間

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