韓國報紙
由 Reuters News
路透首爾10月18日 - 據《首爾經濟日報》周日報導，三星電子 005930.KS 將採用台積電 2330.TW 的3納米工藝，為Nvidia(輝達/英偉達)NVDA.O 下一代定制高帶寬內存（HBM）芯片生產基底裸片 。
據該報導稱，此舉將標誌著三星首次在HBM製造階段與台積電展開合作。
該報援引業界消息人士的話稱，Nvidia已要求三星、SK海力士 000660.KS 和美光科技 MU.O 採用台積電的工藝製造NVHBM基底裸片，並採用第六代DRAM技術製造核心裸片。
據該公司稱，今年8月發布的NVHBM將Nvidia的定制內存控制器集成到基底裸片中，旨在統一多家內存供應商的實施方式。
據《首爾經濟日報》報導，三星在經過內部評估後接受了Nvidia的要求，但計劃繼續採用自主生產模式來生產標準HBM以及面向其他客戶的定制產品。
該報還援引一位不願透露姓名消息人士的話稱，三星正在評估，如果需求超過台積電的產能，是否可由自身晶圓代工業務生產NVHBM基底裸片。(完)