Infineon kooperiert mit Eaton bei SiC-Technologie für Solid-State-Transformatoren in 800-VDC-AI-Rechenzentren

• Infineon liefert Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter an Eaton für dessen Medium-Voltage-Solid-State-Transformer-Plattform MVSST 2.0.
• Fokus auf 800-Volt-Gleichstrom-Architekturen für KI-Rechenzentren; Ziel sind höhere Effizienz, Leistungsdichte, Skalierbarkeit, Zuverlässigkeit.
• Einsatz der Plattform in APAC und EMEA; MVSST 2.0 reduziert Umwandlungsstufen gegenüber konventionellen Architekturen.
• Partner prüfen nächste SST-Generationen auf Basis von 2.3-kV- und 3.3-kV-SiC-Leistungsmodulen für höhere Systemspannungen.

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