GE Aerospace meldet neuen Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte

• GE Aerospace investiert 225 Millionen US-Dollar in die Modernisierung des Forschungszentrums in Niskayuna, New York.
• Ausbau der Kapazitäten für fortgeschrittene Werkstoffe; Carbonfaser-Verbundfanblätter, CMC-Materialien als Treiber für Effizienz und Lebensdauer.
• Leistungselektronik: In einer 28'000-Quadratfuss-Cleanroom-Anlage demonstrierter Siliziumkarbid-Baustein mit höherer Effizienz und Leistungsdichte.
• CFD-Forschung nutzt Frontier-Supercomputer für Open-Fan-Design im CFM-RISE-Programm; soll Entwicklungszeiten deutlich verkürzen.
• Hyperschall-Antrieb: Rotationsdetonations-Ramjet demonstriert; generative KI erstellt Vorentwurf eines Ramjets in Sekunden.

Disclaimer: This news brief was created by Public Technologies (PUBT) using generative artificial intelligence. While PUBT strives to provide accurate and timely information, this AI-generated content is for informational purposes only and should not be interpreted as financial, investment, or legal advice. GE Aerospace - General Electric Company published the original content used to generate this news brief on September 30, 2026, and is solely responsible for the information contained therein.