Armee beauftragt Navitas mit Entwicklung von 10'000-Volt-SiC-IGBTs für nächste Generation Leistungshalbleiter

• Navitas erhielt vom US-Heer den ALATTIS-Auftrag zur Entwicklung von 10 kV-SiC-IGBTs der nächsten Generation.
• Fokus auf neuartigem, in den USA angesiedeltem Fertigungsprozess für Ultra-Hochspannungs-SiC-Bauelemente ab 10 kV.
• Prototypenprogramm mit iterativem Design, Fertigung, Tests; Ziel sind Validierung und Hochlauf einer bislang nicht verfügbaren Prozesskette.
• Technologiebasis: patentierte trench-assisted planar (TAP)-Architektur; Integration mit PiN-Diodentechnologien für missionskritische Systeme.

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