交易 Navitas Semiconductor Corporation - NVTS CFD
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- 曆史數據
交易條件
价差 | 0.05 | ||||||||
多头隔夜费
多头隔夜费
前往平台 | -0.02629% | ||||||||
空头隔夜费
空头隔夜费
前往平台 | 0.004068% | ||||||||
隔夜费时间 | 21:00 (UTC) | ||||||||
最小交易量 | 1 | ||||||||
货币 | USD | ||||||||
保证金 | 5.00% | ||||||||
上市交易所 | United States of America | ||||||||
交易费 | 0% |
關鍵數據
前收盤價 | 3.93 |
開盤價 | 3.98 |
1 年變化 | -60.08% |
日範圍 | 3.79 - 4.03 |
- 上週
- 上個月
- 去年
- 過去兩年
- 最大
- 每日
- 每週
- 每月
日期 | 關閉 | 更改 | 變化 (%) | 打開 | 高 | 低 |
---|---|---|---|---|---|---|
Jul 26, 2024 | 3.80 | -0.24 | -5.94% | 4.04 | 4.06 | 3.78 |
Jul 25, 2024 | 3.92 | 0.00 | 0.00% | 3.92 | 4.04 | 3.81 |
Jul 24, 2024 | 3.93 | -0.17 | -4.15% | 4.10 | 4.17 | 3.93 |
Jul 23, 2024 | 4.14 | 0.00 | 0.00% | 4.14 | 4.27 | 4.10 |
Jul 22, 2024 | 4.12 | -0.01 | -0.24% | 4.13 | 4.16 | 4.05 |
Jul 19, 2024 | 4.00 | -0.13 | -3.15% | 4.13 | 4.13 | 3.96 |
Jul 18, 2024 | 4.14 | -0.44 | -9.61% | 4.58 | 4.62 | 4.09 |
Jul 17, 2024 | 4.53 | -0.22 | -4.63% | 4.75 | 4.81 | 4.46 |
Jul 16, 2024 | 4.89 | 0.06 | 1.24% | 4.83 | 4.90 | 4.69 |
Jul 15, 2024 | 4.78 | -0.01 | -0.21% | 4.79 | 4.83 | 4.67 |
Jul 12, 2024 | 4.74 | 0.12 | 2.60% | 4.62 | 4.76 | 4.59 |
Jul 11, 2024 | 4.55 | -0.03 | -0.66% | 4.58 | 4.63 | 4.49 |
Jul 10, 2024 | 4.45 | 0.15 | 3.49% | 4.30 | 4.46 | 4.24 |
Jul 9, 2024 | 4.26 | -0.19 | -4.27% | 4.45 | 4.46 | 4.18 |
Jul 8, 2024 | 4.36 | 0.25 | 6.08% | 4.11 | 4.38 | 4.11 |
Jul 5, 2024 | 4.07 | 0.05 | 1.24% | 4.02 | 4.12 | 4.01 |
Jul 3, 2024 | 4.00 | 0.00 | 0.00% | 4.00 | 4.08 | 3.98 |
Jul 2, 2024 | 3.96 | 0.06 | 1.54% | 3.90 | 3.99 | 3.87 |
Jul 1, 2024 | 3.88 | -0.04 | -1.02% | 3.92 | 4.00 | 3.84 |
Jun 28, 2024 | 3.90 | -0.16 | -3.94% | 4.06 | 4.08 | 3.84 |
差價合約交易計算器
如果您在特定日期(選取一個日期)開立差價合約交易並在不同日期(選取一個日期)關閉交易,計算您的假設盈虧。
交易佣金
0
- 1:1
杠杆
1:1
- 20
- 100
- 500
- 1000
- 10000
投資
交易規模(槓桿 x 投資):
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關閉
做空 做多
Navitas Semiconductor Corporation Company profile
关于 Navitas Semiconductor Corporation
纳维塔斯半导体公司从事设计、开发和销售用于电源转换和充电的氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)。 采用其产品的电源被用于一系列电子产品,包括移动电话,消费电子,数据中心,太阳能逆变器和电动汽车。 纳维达斯提供的氮化镓电源IC芯片组合可优化电源传输并减少碳足迹。 它的氮化镓集成电路是为高频软开关应用而开发的,旨在释放氮化镓的材料优势,同时还集成了传感、保护和可靠性功能。 其芯片的特点是单片集成了场效应晶体管(FET)、驱动和逻辑,是高性能的动力系统构件,使设计者能够创建动力转换器。 该公司在美国、爱尔兰、中国香港、台湾和菲律宾以及爱尔兰开展业务。
Industry: | Semiconductors (NEC) |
3520 Challenger St.
TORRANCE
CALIFORNIA 90503
US
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