交易 Navitas Semiconductor Corporation - NVTS CFD
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- 曆史數據
交易條件
价差 | 0.05 | ||||||||
多头隔夜费
多头隔夜费
前往平台 | -0.026235% | ||||||||
空头隔夜费
空头隔夜费
前往平台 | 0.004012% | ||||||||
隔夜费时间 | 21:00 (UTC) | ||||||||
最小交易量 | 1 | ||||||||
货币 | USD | ||||||||
保证金 | 5.00% | ||||||||
上市交易所 | United States of America | ||||||||
交易费 | 0% |
關鍵數據
前收盤價 | 2.31 |
開盤價 | 2.35 |
1 年變化 | -71.38% |
日範圍 | 2.25 - 2.39 |
- 上週
- 上個月
- 去年
- 過去兩年
- 最大
- 每日
- 每週
- 每月
日期 | 關閉 | 更改 | 變化 (%) | 打開 | 高 | 低 |
---|---|---|---|---|---|---|
Sep 9, 2024 | 2.25 | -0.09 | -3.85% | 2.34 | 2.39 | 2.25 |
Sep 6, 2024 | 2.31 | -0.10 | -4.15% | 2.41 | 2.42 | 2.30 |
Sep 5, 2024 | 2.41 | -0.04 | -1.63% | 2.45 | 2.50 | 2.38 |
Sep 4, 2024 | 2.49 | -0.04 | -1.58% | 2.53 | 2.60 | 2.36 |
Sep 3, 2024 | 2.56 | -0.42 | -14.09% | 2.98 | 3.01 | 2.56 |
Aug 30, 2024 | 3.00 | -0.15 | -4.76% | 3.15 | 3.16 | 2.95 |
Aug 29, 2024 | 3.08 | 0.13 | 4.41% | 2.95 | 3.13 | 2.88 |
Aug 28, 2024 | 2.91 | -0.15 | -4.90% | 3.06 | 3.07 | 2.87 |
Aug 27, 2024 | 3.06 | -0.03 | -0.97% | 3.09 | 3.15 | 3.05 |
Aug 26, 2024 | 3.10 | 0.00 | 0.00% | 3.10 | 3.12 | 3.00 |
Aug 23, 2024 | 3.07 | 0.03 | 0.99% | 3.04 | 3.19 | 3.01 |
Aug 22, 2024 | 2.99 | -0.13 | -4.17% | 3.12 | 3.16 | 2.98 |
Aug 21, 2024 | 3.10 | 0.09 | 2.99% | 3.01 | 3.10 | 3.00 |
Aug 20, 2024 | 2.99 | -0.10 | -3.24% | 3.09 | 3.09 | 2.93 |
Aug 19, 2024 | 3.13 | 0.06 | 1.95% | 3.07 | 3.14 | 3.00 |
Aug 16, 2024 | 3.07 | 0.01 | 0.33% | 3.06 | 3.14 | 3.05 |
Aug 15, 2024 | 3.11 | 0.09 | 2.98% | 3.02 | 3.14 | 2.98 |
Aug 14, 2024 | 2.90 | -0.20 | -6.45% | 3.10 | 3.15 | 2.85 |
Aug 13, 2024 | 3.06 | 0.18 | 6.25% | 2.88 | 3.09 | 2.88 |
Aug 12, 2024 | 2.86 | -0.11 | -3.70% | 2.97 | 3.00 | 2.85 |
差價合約交易計算器
如果您在特定日期(選取一個日期)開立差價合約交易並在不同日期(選取一個日期)關閉交易,計算您的假設盈虧。
交易佣金
0
- 1:1
杠杆
1:1
- 20
- 100
- 500
- 1000
- 10000
投資
交易規模(槓桿 x 投資):
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關閉
做空 做多
Navitas Semiconductor Corporation Company profile
关于 Navitas Semiconductor Corporation
纳维塔斯半导体公司从事设计、开发和销售用于电源转换和充电的氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)。 采用其产品的电源被用于一系列电子产品,包括移动电话,消费电子,数据中心,太阳能逆变器和电动汽车。 纳维达斯提供的氮化镓电源IC芯片组合可优化电源传输并减少碳足迹。 它的氮化镓集成电路是为高频软开关应用而开发的,旨在释放氮化镓的材料优势,同时还集成了传感、保护和可靠性功能。 其芯片的特点是单片集成了场效应晶体管(FET)、驱动和逻辑,是高性能的动力系统构件,使设计者能够创建动力转换器。 该公司在美国、爱尔兰、中国香港、台湾和菲律宾以及爱尔兰开展业务。
Industry: | Semiconductors (NEC) |
3520 Challenger St.
TORRANCE
CALIFORNIA 90503
US
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