交易 Navitas Semiconductor Corporation - NVTS CFD
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- 曆史數據
交易條件
价差 | 0.05 | ||||||||
多头隔夜费
多头隔夜费
前往平台 | -0.024124% | ||||||||
空头隔夜费
空头隔夜费
前往平台 | 0.001901% | ||||||||
隔夜费时间 | 22:00 (UTC) | ||||||||
最小交易量 | 1 | ||||||||
货币 | USD | ||||||||
保证金 | 5.00% | ||||||||
上市交易所 | United States of America | ||||||||
交易费 | 0% |
關鍵數據
前收盤價 | 1.81 |
開盤價 | 1.84 |
1 年變化 | -73.94% |
日範圍 | 1.79 - 2.01 |
- 上週
- 上個月
- 去年
- 過去兩年
- 最大
- 每日
- 每週
- 每月
日期 | 關閉 | 更改 | 變化 (%) | 打開 | 高 | 低 |
---|---|---|---|---|---|---|
Nov 21, 2024 | 1.99 | 0.17 | 9.34% | 1.82 | 2.02 | 1.79 |
Nov 20, 2024 | 1.81 | -0.02 | -1.09% | 1.83 | 1.84 | 1.77 |
Nov 19, 2024 | 1.84 | 0.10 | 5.75% | 1.74 | 1.85 | 1.74 |
Nov 18, 2024 | 1.76 | -0.01 | -0.56% | 1.77 | 1.81 | 1.73 |
Nov 15, 2024 | 1.76 | -0.08 | -4.35% | 1.84 | 1.84 | 1.74 |
Nov 14, 2024 | 1.86 | 0.05 | 2.76% | 1.81 | 1.90 | 1.78 |
Nov 13, 2024 | 1.77 | -0.11 | -5.85% | 1.88 | 1.89 | 1.75 |
Nov 12, 2024 | 1.85 | -0.13 | -6.57% | 1.98 | 2.00 | 1.85 |
Nov 11, 2024 | 2.01 | -0.14 | -6.51% | 2.15 | 2.15 | 1.96 |
Nov 8, 2024 | 2.13 | -0.05 | -2.29% | 2.18 | 2.25 | 2.11 |
Nov 7, 2024 | 2.18 | -0.07 | -3.11% | 2.25 | 2.30 | 2.16 |
Nov 6, 2024 | 2.27 | -0.07 | -2.99% | 2.34 | 2.41 | 2.22 |
Nov 5, 2024 | 2.33 | 0.09 | 4.02% | 2.24 | 2.47 | 2.18 |
Nov 4, 2024 | 2.59 | -0.06 | -2.26% | 2.65 | 2.67 | 2.48 |
Nov 1, 2024 | 2.56 | 0.08 | 3.23% | 2.48 | 2.61 | 2.48 |
Oct 31, 2024 | 2.45 | -0.19 | -7.20% | 2.64 | 2.64 | 2.41 |
Oct 30, 2024 | 2.65 | -0.12 | -4.33% | 2.77 | 2.79 | 2.65 |
Oct 29, 2024 | 2.82 | 0.00 | 0.00% | 2.82 | 2.87 | 2.70 |
Oct 28, 2024 | 2.75 | 0.18 | 7.00% | 2.57 | 2.88 | 2.54 |
Oct 25, 2024 | 2.53 | 0.02 | 0.80% | 2.51 | 2.61 | 2.48 |
差價合約交易計算器
如果您在特定日期(選取一個日期)開立差價合約交易並在不同日期(選取一個日期)關閉交易,計算您的假設盈虧。
交易佣金
0
- 1:1
杠杆
1:1
- 20
- 100
- 500
- 1000
- 10000
投資
交易規模(槓桿 x 投資):
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關閉
做空 做多
Navitas Semiconductor Corporation Company profile
关于 Navitas Semiconductor Corporation
纳维塔斯半导体公司从事设计、开发和销售用于电源转换和充电的氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)。 采用其产品的电源被用于一系列电子产品,包括移动电话,消费电子,数据中心,太阳能逆变器和电动汽车。 纳维达斯提供的氮化镓电源IC芯片组合可优化电源传输并减少碳足迹。 它的氮化镓集成电路是为高频软开关应用而开发的,旨在释放氮化镓的材料优势,同时还集成了传感、保护和可靠性功能。 其芯片的特点是单片集成了场效应晶体管(FET)、驱动和逻辑,是高性能的动力系统构件,使设计者能够创建动力转换器。 该公司在美国、爱尔兰、中国香港、台湾和菲律宾以及爱尔兰开展业务。
Industry: | Semiconductors (NEC) |
3520 Challenger St.
TORRANCE
CALIFORNIA 90503
US
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