交易 Navitas Semiconductor Corporation - NVTS CFD
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- 曆史數據
交易條件
价差 | 0.05 | ||||||||
多头隔夜费
多头隔夜费
前往平台 | -0.023512% | ||||||||
空头隔夜费
空头隔夜费
前往平台 | 0.00129% | ||||||||
隔夜费时间 | 22:00 (UTC) | ||||||||
最小交易量 | 1 | ||||||||
货币 | USD | ||||||||
保证金 | 5.00% | ||||||||
上市交易所 | United States of America | ||||||||
交易费 | 0% |
關鍵數據
前收盤價 | 3.38 |
開盤價 | 3.47 |
1 年變化 | -44.3% |
日範圍 | 3.15 - 3.47 |
- 上週
- 上個月
- 去年
- 過去兩年
- 最大
- 每日
- 每週
- 每月
日期 | 關閉 | 更改 | 變化 (%) | 打開 | 高 | 低 |
---|---|---|---|---|---|---|
Feb 21, 2025 | 3.15 | -0.32 | -9.22% | 3.47 | 3.57 | 3.15 |
Feb 20, 2025 | 3.38 | 0.01 | 0.30% | 3.37 | 3.41 | 3.24 |
Feb 19, 2025 | 3.41 | 0.08 | 2.40% | 3.33 | 3.52 | 3.28 |
Feb 18, 2025 | 3.30 | 0.27 | 8.91% | 3.03 | 3.59 | 3.03 |
Feb 14, 2025 | 2.97 | 0.08 | 2.77% | 2.89 | 3.03 | 2.89 |
Feb 13, 2025 | 2.87 | -0.01 | -0.35% | 2.88 | 2.96 | 2.80 |
Feb 12, 2025 | 2.82 | 0.13 | 4.83% | 2.69 | 2.86 | 2.67 |
Feb 11, 2025 | 2.74 | -0.11 | -3.86% | 2.85 | 2.87 | 2.74 |
Feb 10, 2025 | 2.89 | -0.09 | -3.02% | 2.98 | 3.02 | 2.88 |
Feb 7, 2025 | 2.95 | -0.10 | -3.28% | 3.05 | 3.12 | 2.93 |
Feb 6, 2025 | 3.02 | -0.13 | -4.13% | 3.15 | 3.20 | 2.99 |
Feb 5, 2025 | 3.12 | 0.09 | 2.97% | 3.03 | 3.22 | 2.99 |
Feb 4, 2025 | 2.99 | 0.13 | 4.55% | 2.86 | 3.04 | 2.85 |
Feb 3, 2025 | 2.88 | 0.08 | 2.86% | 2.80 | 2.98 | 2.78 |
Jan 31, 2025 | 3.01 | 0.01 | 0.33% | 3.00 | 3.40 | 2.99 |
Jan 30, 2025 | 3.00 | -0.02 | -0.66% | 3.02 | 3.06 | 2.93 |
Jan 29, 2025 | 2.96 | -0.01 | -0.34% | 2.97 | 3.06 | 2.88 |
Jan 28, 2025 | 2.95 | -0.16 | -5.14% | 3.11 | 3.16 | 2.89 |
Jan 27, 2025 | 2.96 | -0.33 | -10.03% | 3.29 | 3.34 | 2.95 |
Jan 24, 2025 | 3.42 | 0.08 | 2.40% | 3.34 | 3.73 | 3.33 |
差價合約交易計算器
如果您在特定日期(選取一個日期)開立差價合約交易並在不同日期(選取一個日期)關閉交易,計算您的假設盈虧。
交易佣金
0
- 1:1
- 2:1
- 3:1
- 5:1
- 10:1
- 20:1
杠杆
20:1
- 20
- 100
- 500
- 1000
- 10000
投資
交易規模(槓桿 x 投資):
打開
關閉
做空 做多
Navitas Semiconductor Corporation Company profile
关于 Navitas Semiconductor Corporation
纳维塔斯半导体公司从事设计、开发和销售用于电源转换和充电的氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)。 采用其产品的电源被用于一系列电子产品,包括移动电话,消费电子,数据中心,太阳能逆变器和电动汽车。 纳维达斯提供的氮化镓电源IC芯片组合可优化电源传输并减少碳足迹。 它的氮化镓集成电路是为高频软开关应用而开发的,旨在释放氮化镓的材料优势,同时还集成了传感、保护和可靠性功能。 其芯片的特点是单片集成了场效应晶体管(FET)、驱动和逻辑,是高性能的动力系统构件,使设计者能够创建动力转换器。 该公司在美国、爱尔兰、中国香港、台湾和菲律宾以及爱尔兰开展业务。
Industry: | Semiconductors (NEC) |
3520 Challenger St.
TORRANCE
CALIFORNIA 90503
US
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