据首尔一家报纸报道，三星将采用台积电的技术生产英伟达的下一代内存芯片
由 Reuters News
路透首尔10月18日 - 据《首尔经济日报》周日报道，三星电子 005930.KS 将采用台积电 2330.TW 的3纳米工艺，为英伟达 NVDA.O 下一代定制高带宽内存(HBM) 芯片生产基片。
据报道，此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与这家台湾代工芯片制造商合作。
该报援引业界消息人士的话称，英伟达已要求三星、SK海力士 000660.KS 和美光科技 MU.O 采用台积电的工艺制造NVHBM基片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。
据该公司称，今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。
据《首尔经济日报》报道，三星在经过内部评估后接受了英伟达的要求，但计划继续采用自主生产模式来生产标准HBM以及面向其他客户的定制产品。
该报援引一位不愿透露姓名消息人士的话称，三星还在评估，如果需求超过台积电的产能，其自有代工厂是否能够生产NVHBM基础芯片。
(为便利非英文母语者，路透将其报导自动化翻译为数种其他语言。由于自动化翻译可能有误，或未能包含所需语境，路透不保证自动化翻译文本的准确性，仅是为了便利读者而提供自动化翻译。对于因为使用自动化翻译功能而造成的任何损害或损失，路透不承担任何责任。)