花旗表示，受CXMT DRAM担忧影响的芯片抛售已反应过度

10月14日 - ** 花旗表示，预计中国CXMT公司 688825.SS 计划推出的4F2 DRAM技术(一种更密集的存储芯片设计) 对全球存储芯片供应的影响将“有限”

** 周二，关于长鑫存储（CXMT）取得技术进展的报道加剧了市场对中国人工智能企业竞争加剧的担忧，导致全球芯片股下跌

** 周二，费城半导体指数 .SOX 跌至逾三周低点，且连续第五个交易日下跌

** 花旗表示：“CXMT正在其传统工艺节点1y-nm（一种较旧的制造工艺）上开发4F2，预计2028年前难以实现量产”，并补充称这家中国芯片制造商仍落后于领先的DRAM生产商四代

** 花旗表示，该技术的制造成本可能高出约10%-20%

** 该行还指出，CXMT获得先进EUV设备（芯片制造光刻设备）的渠道可能有限，这将成为进一步缩小制程的障碍；而三星 005930.KS 和SK海力士 000660.KS 预计将在更先进的制程节点上采用4F2技术

** 美国存储和内存类股在盘前交易中下跌，美光科技 MU.O、闪迪 SNDK.O、西部数据 WDC.O 和希捷科技 STX.O 跌幅介于1%至2.3%之间

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