更新版 1-《独家新闻》中国长鑫科技良率低至两成仍将投产HBM3E--消息

路透10月28日 - 两位知情消息人士表示，中国长鑫科技计划开始生产HBM3E高带宽内存(HBM)，尽管目前该产品良率低至约20%。HBM3E主要与人工智能（AI）处理器搭配使用。

这一决定凸显出中国AI存储芯片供应严重短缺。在美国限制中国获取外国制造技术之际，这类芯片对于中国在政府支持下大规模开发可替代Nvidia(辉达/英伟达)NVDA.O AI处理器的国产芯片至关重要。

知情人士称，长鑫科技688825.SS ——中国最大的DRAM制造商已向多家国内AI芯片设计公司提供了HBM3E样品。其中一位人士表示，该公司预计将在未来两个月内开始小批量生产。

消息人士称，长鑫HBM3E芯片良率仅约20%到30%，而市场龙头韩国SK海力士000660.KS 的良率则在70%左右。

由于计划尚未公开，消息人士不愿具名。

长鑫科技未回应置评请求。SK海力士也未立即回应关于良率预估的置评请求。

《The Information》最先报道了长鑫科技的HBM3E计划。路透此次首次披露了该产品的良率及交付时间表等细节。

2024年12月，美国政府收紧了针对销往中国的某些先进HBM产品的出口管制。知情人士称，中国芯片制造商越来越多地通过非官方渠道采购这种内存，而通过这些渠道采购的成本可能高出数倍。

消息人士称，尽管良率较低，长鑫科技仍在推进生产投产计划，因中国AI芯片制造商难以获得足够的先进存储芯片来扩大产量。低良率会推高生产成本，因为大量芯片必须报废或返工。

路透上月报道称，由于内存成本导致扩产计划受阻，华为 [HWT.UL] 、寒武纪688256.SS 、沐曦688802.SS 和天数智芯9903.HK 已将当前及下一代AI芯片的价格上调了20%至50%。

其中一位知情人士表示，长鑫科技的HBM3E预计价格将高于海外竞争对手的同类产品。知情人士补充称，该公司最早于2024年就开始自主研发该技术。

其中一位消息人士表示，在测试中，长鑫科技的HBM3E性能更接近SK海力士上一代的HBM3，而非该韩国公司的HBM3E。

另一位知情人士称，长鑫科技已向客户送样两种版本的HBM3E：一种采用标准设计，另一种则是经过调整、旨在提高良率的改进版本。

韩国三星电子005930.KS 7月表示，已扩大HBM4的销售规模，并向主要客户发出了HBM4E样品，这意味着长鑫科技在商用HBM生产方面至少落后一代。(完)