Selon Samsung Electronics, la mémoire HBM devrait représenter près de 30 % de la capacité de production de DRAM du secteur l'année prochaine

SÉOUL, 29 septembre (Reuters) - Un dirigeant de Samsung Electronics a déclaré mardi que la mémoire à bande passante élevée (HBM) devrait représenter près de 30 % de la capacité totale de production de plaquettes des fabricants de puces de mémoire vive dynamique (DRAM) l'année prochaine, contre environ 20 % actuellement.

Kim Taewoo, vice-président exécutif de Samsung Electronics 005930.KS, a déclaré que la HBM et la DRAM standard se disputent la même capacité de production de plaquettes, ce qui signifie que l’augmentation de la production de HBM pourrait limiter l’offre de DRAM standard.

La HBM est un composant essentiel pour le calcul en intelligence artificielle; elle se compose de puces mémoire empilées verticalement qui permettent aux processeurs d’accéder à de vastes quantités de données à grande vitesse. Le marché est dominé par la société sud-coréenne SK Hynix 000660.KS et Samsung Electronics, ainsi que par l’entreprise américaine Micron Technology MU.O.

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