中国CXMT公司表示，其新型存储芯片平台已进入量产阶段

Che Pan/Eduardo Baptista

路透北京9月20日 - 中国DRAM芯片制造商CXMT（688825.SS）周日表示，其第五代技术平台已进入量产阶段。这一宣称的突破或将助力中国在全球存储芯片市场打造出更强大的竞争对手，以对抗三星电子、SK海力士和美光科技。

DRAM（动态随机存取存储器）是手机、电脑及其他设备用于运行应用程序和程序的短期工作内存。

该新平台旨在以更低的成本和更低的功耗制造性能更强的内存芯片。今年在上海科创板上市的CXMT表示，这将为电子制造商提供智能手机及其他设备所用芯片的额外供应来源。

作为中国领先的DRAM生产商，CXMT表示，新平台将存储数据的微小结构排列得更紧密，从而使每颗芯片能容纳更多存储单元，并使每块硅片能制造出更多独立芯片。

这家总部位于合肥的内存芯片制造商表示，已将芯片中用于存储数据部分的关键特征间距缩小至11.95纳米，约合120亿分之一米。

该公司通过采用“四重露光”工艺实现了这一突破，该工艺通过重复多个制造步骤来生成更精细的电路图案。

“我们的工艺能力现已达到业内最先进的量产节点水平，”CXMT副总裁兼营销中心负责人罗晓东在合肥举行的2026年世界制造业大会上表示。

CXMT发布两款新芯片

CXMT还发布了两款基于新平台制造的24千兆比特LPDDR5X产品。LPDDR5X是一种节能型DRAM，主要应用于智能手机和其他便携式电子设备。

该公司表示，这两款产品比CXMT此前同类产品的数据存储量分别提高了50%，目前已投入量产。为适应不同智能手机和便携式设备的设计需求，这两款产品提供两种封装形式。

CXMT表示，以8千兆比特芯片为基准，该平台每片晶圆的芯片毛产量比其第四代平台至少高出50%。

该指标衡量的是在剔除缺陷芯片前，单片晶圆可生产的潜在芯片数量，而非通过最终测试的芯片比例。

CXMT表示，该平台的开发结合了计算机模拟技术，并在关键生产环节与中国芯片设备制造商进行了合作。

这一进展正值北京方面寻求减少对外国半导体技术的依赖之际，自2022年以来，美国的出口管制已限制了中国获取某些先进芯片制造设备及相关软件的渠道。

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