中国长鑫存储：第五代DRAM技术平台已实现量产

路透北京9月20日 - 中国动态随机存取记忆体(DRAM)芯片制造商长鑫存储688825.SS周日表示，其第五代技术平台已进入量产阶段。据称，这一突破有望帮助中国打造出更有实力在全球存储芯片市场与三星电子、SK海力士和美光抗衡的竞争对手。

DRAM是手机、电脑及其他设备运行应用程序的短期工作内存。

该新平台旨在以更低的成本和功耗制造出性能更强的存储芯片。今年在上海科创板上市的长鑫存储表示，这将为电子设备制造商提供用于智能手机及其他设备的额外供应来源。

作为中国领先的DRAM生产商，长鑫存储表示，新平台将存储数据的微小结构排列得更紧密，从而使每块芯片拥有更大存储容量、每片晶圆产出更多独立芯片。

这家总部位于合肥的内存芯片制造商表示，已将芯片中有源区半间距微缩至11.95纳米。

长鑫存储副总裁兼市场中心负责人罗晓东在合肥举行的2026年世界制造业大会上表示，新平台的工艺水平比肩业内最先进的量产工艺节点。

长鑫存储还发布了两款基于新平台制造的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X是一种节能型DRAM，主要用于智能手机和其他便携式电子设备。

该公司表示，这两款产品的存储容量比长鑫存储此前同类产品高出50%，目前已投入量产。它们提供两种封装形式，以适应不同智能手机和便携设备的设计需求。

长鑫存储表示，该平台的开发采用了计算机模拟技术，并在关键生产环节与中国芯片设备制造商开展合作。(完)