三星电子表示，明年HBM将占行业DRAM产能的近30%
由 Reuters News
路透首尔9月29日 - 三星电子一位高管周二表示，高带宽内存 (HBM) 预计将在明年占动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前的约20%。
三星电子 005930.KS 执行副总裁金泰宇 (Kim Taewoo) 表示，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。
HBM是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的内存芯片组成，可让处理器高速访问海量数据。该市场主要由韩国的SK海力士 000660.KS 和三星电子，以及美国美光科技 MU.O 主导。
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