GE Aerospace meldet neuen Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte

Von Public Technologies
  • GE Aerospace investiert 225 Millionen US-Dollar in die Modernisierung des Forschungszentrums in Niskayuna, New York.
  • Ausbau der Kapazitäten für fortgeschrittene Werkstoffe; Carbonfaser-Verbundfanblätter, CMC-Materialien als Treiber für Effizienz und Lebensdauer.
  • Leistungselektronik: In einer 28'000-Quadratfuss-Cleanroom-Anlage demonstrierter Siliziumkarbid-Baustein mit höherer Effizienz und Leistungsdichte.
  • CFD-Forschung nutzt Frontier-Supercomputer für Open-Fan-Design im CFM-RISE-Programm; soll Entwicklungszeiten deutlich verkürzen.
  • Hyperschall-Antrieb: Rotationsdetonations-Ramjet demonstriert; generative KI erstellt Vorentwurf eines Ramjets in Sekunden.


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